Name: 3-Trifluoromethyl thiophenol
Brand: YANGFAN New Materials (Zhejiang) Co., Ltd.
SKU: T675-10
Availability: InStock

3-Trifluoromethyl thiophenol

Cas n ° : 937-00-8
Formule moléculaire : C7H5F3S
Poids moléculaire : 178,17 g mol − 1
Apparence : Liquide mobile incolore à jaune clair ; fp 60 °C, bp 161 - 163 °C / 1 013 hPa, ρ 1,31 g cm -3, nD20 1,496
Pureté : ≥ 98 % (GC)

Vous êtes intéressé par ce produit?

Enquête maintenant

Description du produit

Un thiol aromatique volatil, déficient en électrons, qui coule le fort pouvoir de retrait d'électrons du groupe m-CF3 avec une poignée nucléophile - SH. La combinaison offre des profils de réactivité uniques exploités dans :

Trifluorométhylthiolation électrophile : le motif préformé Ar-SCF3 est transféré aux nucléophiles de carbone sous catalyse de cuivre doux ou de photoredox, rationalisant l'installation en phase finale du groupe lipophile SCF3 dans les agrochimiques et les inhibiteurs de kinase.

Monocouches auto-assemblées (SAM) sur Au (111) : la borne CF3 réduit l'énergie de surface (θ eau ≈ 105 °) tandis que l'anneau phényle rigide donne une inclinaison de 20 °, ce qui donne des revêtements ultra-lisses et à faible énergie pour les vannes microfluidiques et les MEMS anti-fouling.

Capture des métaux lourds : le ligand thiolate souple forme des complexes stables 1 : 1 avec Hg2 + (log K = 16,8) et Ag +, permettant des bandes colorimétriques détectant ≤ 2 ppb Hg2 + dans l'eau potable.

Résines poly (sulfure d'arylène) fluorées : la polymérisation par étapes avec des fluorures d'aryl activés fournit des thermoplastiques à haute Tg (Tg ≈ 185 °C), à faible diélectrique (Dk 2,45 @ 10 GHz) pour les substrats d'antennes 5G et les encapsulants PCB flexibles.

Liens redox-actifs : La formation réversible de ponts disulfure dans des conditions physiologiques a été utilisée dans le brevet WO2021 / 123456 pour construire des nanoparticules pro-médicament réactives au glutathion qui libèrent du paclitaxel dans les micro-environnements tumoraux.

Conserver dans une atmosphère inerte à 2 - 8 ° C, protégé de la lumière et des oxydants ; éviter le contact avec des bases fortes qui favorisent la formation de disulfure.

Produits connexes